삼성 125조·SK하이닉스 34.9조 곳간 채워…투자 여력 급증
HBM 고도화·차세대 메모리 캐파 확대…AI 반도체 경쟁 격화
삼성전자 반도체 클린룸 내부. 사진=삼성전자 제공
매일일보 = 안종열 기자
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지난해 실적 호조로 '현금 곳간'을 두둑히 채운 삼성전자와 SK하이닉스가 확보한 실탄을 바탕으로 차세대 메모리 경쟁력 강화에 나서며 글로벌 AI 반도체 주도권 경쟁에 속도를 내고 있다.
18일 업계에 따르면 삼성전자의 현금 및 현금성 자산은 지난해 기준 125조원으로 집계됐다. 이는 전년 대비 11.7% 증가한 수치다. 일부 증권사는 2027년 말 약 297조원까지 증가할 것으로 내다보기도 했다. SK하이닉스 역시 지난해 말 기준 현금성 자산이 34조9000억원으로 전년 대비 146% 증가하며 재무 안정성을 키웠다.
이같은 현금 축적은 메모리 시장 회복과 맞물린 결과다. AI 서버 수요 증가로 HBM과 DDR5 등 고부가 제품 중심의 수요가 급증하면서 수익성이 개선됐고 이에 따라 투자 재원도 빠르게 쌓였다는 분석이다. 업계에서는 이를 ‘메모리 초호황의 전조’로 해석하며 대규모 투자 사이클 진입 가능성에 주목하고 있다.
실제 글로벌 AI 반도체 수요는 공급을 웃도는 상황이다. 최태원 SK그룹 회장은 최근 미국 엔비디아 GTC 행사에서 “HBM 공급 부족은 웨이퍼 부족에서 비롯된다”며 “2030년까지 전 세계적으로 20% 이상의 웨이퍼 공급 부족 현상이 지속될 것으로 예상된다”고 밝혔다.
이에 양사는 확보한 자금을 바탕으로 HBM 고도화와 생산능력 확대에 총력을 기울일 것으로 보인다. HBM은 AI 연산 성능을 좌우하는 핵심 메모리로 글로벌 빅테크 기업들의 수요가 빠르게 증가하고 있는 분야다.
삼성전자는 평택캠퍼스를 중심으로 HBM 생산능력 확대에 나섰다. 평택 4공장(P4)에 신규 D램 라인 구축을 추진 중이며 2028년 가동을 목표로 하는 5공장(P5) 건설도 재개했다. P5는 D램과 낸드, 파운드리를 아우르는 ‘메가 팹’으로 조성될 예정이다. 황상준 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문 메모리개발담당 부사장은 GTC 2026에서 “HBM 공급을 전년 대비 약 3배 확대할 계획”이라며 “HBM4는 현재 웨이퍼 단계 평가를 진행 중”이라고 밝혔다.
SK하이닉스 역시 대규모 투자에 나서고 있다. 용인 반도체 클러스터에 최첨단 팹 4개를 건설할 계획이며 1기 팹에 약 9조4000억원을 투입한 데 이어 추가로 20조원대 투자도 추진 중이다. 청주에는 19조원을 투입해 AI 반도체용 첨단 패키징 공장(P&T7)을 구축하는 등 생산능력 확충에 속도를 내고 있다.
장비 투자도 확대되는 추세다. 업계에 따르면 반도체 장비업체 ASML는 2027년 EUV 노광장비 56대를 공급할 예정이다. 이 중 SK하이닉스가 20대, 삼성전자가 7대를 도입할 것으로 알려졌다.
차세대 메모리 기술 경쟁도 본격화되고 있다. 삼성전자는 7세대 HBM인 HBM4E를 공개하며 성능과 전력 효율을 동시에 끌어올린 기술력을 강조했다. 파운드리 공정을 베이스 다이에 적용해 핀당 16Gbps 속도와 초당 4.0TB 대역폭을 구현했다는 설명이다.
SK하이닉스는 맞춤형 HBM 기술을 앞세워 대응하고 있다. AI 칩별로 최적화된 설계를 적용하는 ‘커스텀 HBM’과 함께 데이터 흐름을 효율화하는 ‘스트림 데이터큐(DQ) 아키텍처’를 개발해 기술 경쟁력을 강화하고 있다.
업계 관계자는 “AI 수요 확대와 함께 메모리 반도체의 전략적 중요성이 크게 높아졌다”며 “결국 투자 속도와 기술력이 시장 판도를 좌우할 것”이라고 말했다.
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