삼성전자 HBM4E (삼성전자 제공)
삼성전자가 엔비디아 GTC에서 차세대 HBM4E 기술과 메모리 토털 솔루션을 공개하며 글로벌 AI 인프라 시장 공략을 강화했다.
삼성전자는 3월 16일부터 19일까지(현지시간) 미국 새너제이에서 열리는 Nvidia GTC에 참가해 차세대 HBM4E 기술과 AI 플랫폼용 메모리 솔루션을 선보이며 AI 반도체 경쟁력을 강조했다.
이번 전시에서 삼성전자는 ‘HBM4 Hero Wall’을 통해 HBM4 기술력과 메모리·로직 설계·파운드리·첨단 패키징을 결합한 종합반도체 기업(IDM) 역량을 집중적으로 소개했다.
특히 삼성전자는 1c D램 공정과 파운드리 4나노 기반의 HBM4E 칩과 코어 다이 웨이퍼를 처음 공개하며 차세대 고대역폭 메모리 기술 경쟁력을 강조했다.
HBM4E는 메모리와 파운드리, 로직 설계, 패키징 기술을 결합해 핀당 최대 16Gbps 속도와 4.0TB/s 대역폭을 지원하도록 설계됐다. 또한 열 저항을 기존 방식보다 20% 이상 개선한 HCB(Hybrid Copper Bonding) 패키징 기술도 함께 공개해 차세대 HBM 적층 기술 경쟁력을 부각했다.
삼성전자는 또 별도의 ‘Nvidia Gallery’를 통해 Nvidia의 차세대 AI 시스템인 Vera Rubin 플랫폼을 지원하는 메모리 솔루션도 전시했다.
이 공간에서는 ▲Rubin GPU용 HBM4 ▲Vera CPU용 SOCAMM2 ▲서버용 SSD PM1763 등 차세대 AI 인프라에 필요한 메모리와 스토리지를 함께 선보이며 양사의 전략적 협력을 강조했다.
특히 삼성전자는 Vera Rubin 플랫폼에 필요한 메모리와 스토리지를 모두 공급할 수 있는 메모리 토털 솔루션 역량을 갖춘 기업은 전 세계에서 유일하다는 점을 강조했다.
전시 부스에서는 PCIe Gen6 기반 서버용 SSD PM1763가 탑재된 서버를 통해 엔비디아의 AI 워크로드 기술인 SCADA 성능도 직접 시연해 AI 데이터센터 환경에서의 고성능 스토리지 성능을 공개했다.
또한 AI 추론 성능과 전력 효율을 높이기 위해 도입된 CMX(Context Memory eXtension) 플랫폼에는 PCIe Gen5 기반 서버용 SSD PM1753을 공급할 계획이다.
한편 행사 둘째 날인 17일에는 삼성전자 AI센터장 송용호 사장이 엔비디아 특별 초청 발표자로 나서 차세대 AI 시스템과 이를 지원하는 삼성 메모리 토털 솔루션 비전을 소개할 예정이다.
삼성전자는 이번 전시를 통해 엔비디아와의 협력을 기반으로 AI 데이터센터와 AI 인프라 전반에서 글로벌 기술 리더십을 강화해 나가겠다는 전략이다.
현영희 기자
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