차세대 HBM4·HBM4E 및 AI 메모리 풀라인업 전시
엔비디아와 협력 통해 AI 제조·온디바이스 AI 생태계 확대
삼성전자 HBM4
삼성전자가 3월 16일부터 19일(현지시간)까지 미국 캘리포니아주 새너제이에서 열리는 ‘엔비디아 GTC 2026’에 참가해 차세대 AI 컴퓨팅 기술과 메모리 솔루션을 공개한다고 밝혔다.
삼성전자는 메모리, 로직, 파운드리, 첨단 패키징을 아우르는 ‘토털 AI 반도체 솔루션’을 제공하는 유일한 기업으로, 이번 행사에서 데이터센터, 물리 AI, 온디바이스 AI를 포함한 전 영역의 AI 인프라 구축을 위한 통합 기술을 선보인다.
이번 전시의 핵심은 현재 양산 중인 6세대 고대역폭메모리(HBM4)다. HBM4는 엔비디아의 차세대 플랫폼 ‘베라 루빈(Vera Rubin)’에 최적화된 제품으로, 초당 11.7Gbps의 처리 속도를 구현하며 최대 13Gbps까지 확장 가능하다. 이는 기존 업계 표준(8Gbps)을 크게 상회하는 수준이다.
삼성전자는 6세대 10나노급(1c) DRAM 공정을 통해 안정적인 수율과 업계 최고 수준의 성능을 확보했으며, 이번 행사에서는 핀당 16Gbps, 최대 4.0TB/s 대역폭을 구현하는 차세대 HBM4E도 처음 공개한다.
또한 차세대 HBM 기술 구현을 위한 핵심 기술인 하이브리드 구리 접합(HCB) 기술도 선보인다. HCB는 기존 열압착 방식(TCB) 대비 열 저항을 20% 이상 낮추면서 16단 이상의 고적층 구현을 가능하게 한다.
전시관 내 ‘엔비디아 갤러리’에서는 삼성전자와 엔비디아의 협력 성과가 집중 조명된다. HBM4, SOCAMM2, PM1763 SSD 등 삼성전자의 주요 제품이 엔비디아 AI 인프라에 적용된 사례를 확인할 수 있다.
저전력 DRAM 기반 서버 메모리 모듈인 SOCAMM2는 고대역폭과 유연한 시스템 통합을 제공하며, 업계 최초로 양산에 돌입했다. 또한 PCIe 6.0 기반 PM1763 SSD는 고속 데이터 전송과 대용량 저장을 지원하며, 엔비디아 SCADA 프로그래밍 모델과 연동된 서버 환경에서 성능을 시연한다.
이와 함께 엔비디아의 차세대 스토리지 아키텍처 ‘블루필드-4 STX’ 기반 레퍼런스 설계에 적용된 PM1753 SSD도 공개되며, AI 추론 워크로드에서의 에너지 효율과 시스템 성능 향상 효과를 강조한다.
삼성전자는 AI 팩토리 구축을 위한 엔비디아와의 협력도 소개한다. 양사는 엔비디아 가속 컴퓨팅과 옴니버스(Omniverse) 기반 디지털 트윈 기술을 활용해 반도체 제조 공정 혁신을 추진하고 있으며, 이를 통해 메모리부터 파운드리까지 전 공정을 아우르는 통합 제조 인프라를 강화하고 있다.
삼성전자 AI센터장 용호성 부사장은 3월 17일 기술 세션에서 ‘에이전틱 AI 기반 반도체 제조 혁신’을 주제로 양사의 협력 사례를 발표할 예정이다. 이 자리에서는 설계부터 생산까지 AI와 디지털 트윈 기술이 반도체 제조에 적용된 실제 사례가 공유된다.
한편 삼성전자는 개인용 AI 환경을 위한 온디바이스 메모리 솔루션도 함께 선보인다. 엔비디아 DGX Spark에 적용되는 PM9E3 및 PM9E1 NAND를 비롯해, LPDDR5X와 LPDDR6 등 차세대 모바일 메모리를 공개한다.
LPDDR5X는 핀당 최대 25Gbps 속도를 제공하면서 전력 소비를 최대 15% 절감해 고성능 모바일 AI 환경을 지원한다. LPDDR6는 핀당 30~35Gbps의 대역폭과 함께 적응형 전압 제어 및 동적 리프레시 기술을 적용해 차세대 엣지 AI 환경에 최적화된 성능을 제공한다.
삼성전자는 이번 GTC 2026을 통해 AI 인프라 전반을 아우르는 기술 경쟁력을 바탕으로 글로벌 AI 시장에서의 입지를 더욱 강화한다는 계획이다.
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이준성
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