삼성전자(대표이사 전영현 노태문), 엔비디아 Vera Rubin 플랫폼 유일 메모리 공급… AI 동맹·HBM 리더십 부각
삼성전자(대표이사 전영현 노태문)가 16~19일(현지시간) 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 GTC에서 차세대 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초 공개하며 글로벌 AI 메모리 리더십을 강조했다. 삼성전자 제공
[뉴스클레임]
삼성전자(대표이사 전영현 노태문)가 16~19일(현지시간) 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 GTC에서 차세대 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초 공개하며 글로벌 AI 메모리 리더십을 강조했습니다. 1c D램 공정과 파운드리 4나노 기반으로 개발 중인 HBM4E는 메모리·로직 설계·파운드리·첨단 패키징을 아우른 토털 협업으로 핀당 16Gbps, 대역폭 4TB/s를 목표로 하며, HBM4 칩과 4나노 베이스 다이 웨이퍼도 함께 전시됐습니다.
삼성전자는 TCB 대비 열 저항을 20% 이상 낮추고 16단 이상 고적층이 가능한 HCB 본딩 기술도 공개해 차세대 HBM 패키징 경쟁력을 부각했습니다. 또 ‘Nvidia Gallery’ 존에서 엔비디아 Vera Rubin 플랫폼에 탑재될 HBM4, 서버용 LPDDR 모듈 SOCAMM2, PCIe Gen6 SSD PM1763를 한데 전시해 전 세계에서 유일하게 해당 플랫폼의 메모리·스토리지를 모두 적기에 공급할 수 있는 역량을 보여줬습니다.
삼성은 Vera Rubin의 CMX 플랫폼용 PCIe Gen5 SSD PM1753 공급 계획과 함께 GDDR7, LPDDR6, PM9E1 등 차세대 메모리 라인업도 소개하며, 엔비디아와의 협력을 바탕으로 AI 팩토리와 온디바이스 AI까지 포괄하는 AI 인프라 토털 솔루션 비전을 제시했습니다.
☞ 네이버 뉴스스탠드에서 ‘뉴스클레임 ’을 만나보세요~ 구독하기 클릭!
저작권자 © 뉴스클레임
키워드
Tags
#삼성전자
#전영현
#노태문
김도희 기자
다른기사 보기
댓글
0