엔비디아 ‘루빈’ 플랫폼 메모리 토털 솔루션 제시
삼성전자가 16일(현지시간)부터 19일까지 미국 새너제이에서 열리는 NVIDIA GTC에서 차세대 HBM4E 칩을 처음 공개하고 AI 인프라용 메모리 토털 솔루션을 선보였다. 사진은 삼성전자 HBM4. [사진=삼성전자]
인공지능(AI) 반도체 경쟁이 치열해지는 가운데 삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM) 기술을 공개하며 글로벌 AI 인프라 시장 공략에 속도를 내고 있다.
삼성전자는 16일(현지시간)부터 19일까지 미국 새너제이에서 열리는 NVIDIA GTC에서 차세대 HBM4E 칩을 처음 공개하고 AI 인프라용 메모리 토털 솔루션을 선보였다고 17일(한국시간) 밝혔다.
삼성전자는 이번 행사에서 차세대 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 전시했다. HBM4E는 핀당 최대 16Gbps 속도와 최대 4TB/s 대역폭을 지원하는 차세대 AI 메모리로, 1c D램 공정과 파운드리 4나노 기반 베이스 다이를 적용한 것이 특징이다.
또 열 저항을 기존 대비 20% 이상 개선하고 16단 이상 적층을 지원하는 차세대 패키징 기술인 HCB(Hybrid Copper Bonding)도 함께 공개했다.
삼성전자는 이번 전시에서 메모리와 로직 설계, 파운드리, 첨단 패키징을 통합한 종합 반도체 기업(IDM) 역량을 강조했다. 특히 엔비디아 차세대 AI 플랫폼인 루빈(Vera Rubin platform)을 지원하는 메모리 토털 솔루션을 선보이며 협력 관계를 부각했다.
전시 부스 내 ‘엔비디아 갤러리(Nvidia Gallery)’에서는 ▲루빈 GPU용 HBM4 ▲베라 CPU용 SOCAMM2 ▲서버용 SSD PM1763 등 주요 제품을 플랫폼과 함께 전시해 AI 시스템 전체를 구성하는 메모리 생태계를 소개했다.
삼성전자는 또 PCIe Gen6 기반 서버용 SSD PM1763을 활용해 엔비디아의 AI 워크로드 기술인 SCADA 환경을 현장에서 시연하며 AI 데이터 처리 성능을 강조했다.
행사 둘째 날인 17일에는 송용호 삼성전자 AI센터장이 엔비디아의 특별 초청으로 발표에 나서 AI 인프라 혁신을 위한 메모리 토털 솔루션 전략을 소개할 예정이다.
삼성전자는 이번 전시를 통해 메모리뿐 아니라 파운드리와 패키징 기술을 결합한 AI 반도체 통합 역량을 강조하며 글로벌 AI 시장에서의 협력 확대 가능성을 제시했다.
[스트레이트뉴스 박응서 기자]
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