삼성전자 레터마크 (출처: 삼성전자) / 2026.03.16
삼성전자는 17일(현지시간) 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 개발자 콘퍼런스 ‘GTC 2026’에서 차세대 고대역폭 메모리(HBM)인 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 처음 공개했다. 삼성전자는 메모리·파운드리·패키징을 결합한 ‘메모리 토털 솔루션’ 전략을 앞세워 엔비디아와의 AI 인프라 협력을 확대한다는 계획이다.
HBM4E는 1c D램 공정과 삼성 파운드리 4나노 기반 베이스 다이를 적용한 제품으로, 핀당 최대 16Gbps 속도와 4TB/s 대역폭을 지원하도록 개발되고 있다. 삼성전자는 이번 전시에서 열 저항을 20% 이상 낮추고 16단 이상 적층이 가능한 HCB(Hybrid Copper Bonding) 패키징 기술도 함께 소개하며 차세대 HBM 기술 경쟁력을 강조했다.
삼성전자는 또 엔비디아 차세대 AI 플랫폼 ‘Vera Rubin’에 맞춰 HBM4, 서버용 메모리 모듈 SOCAMM2, 서버용 SSD PM1763 등을 함께 전시했다. AI 서버에 필요한 메모리와 스토리지를 묶어 제공하는 플랫폼형 솔루션 공급 역량을 강조하기 위한 것이다.
행사 둘째 날에는 송용호 삼성전자 AI센터장이 엔비디아 초청 발표에 나서 AI 인프라 혁신을 위한 메모리 전략을 소개한다. 삼성전자는 이번 GTC를 통해 차세대 AI 시스템에 필요한 메모리·스토리지 전반을 공급할 수 있는 종합 반도체(IDM) 역량을 강조할 계획이다.
김중배 기자
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