핀당 16Gbps·4TB/s 대역폭… HCB 패키징으로 열 저항 20% 개선
SOCAMM2 업계 최초 양산 출하… 송용호 AI센터장 특별 초청 발표
삼성전자 HBM4 제품 이미지. 사진=삼성전자
삼성전자가 차세대 인공지능(AI) 메모리 시장 주도권 확보에 속도를 내고 있다.
삼성전자는 16일(현지시간) 미국 새너제이에서 열린 엔비디아 연례 개발자 행사 'GTC'에서 차세대 고대역폭 메모리(HBM)인 HBM4E 칩을 최초 공개하고, AI 시스템 전반을 아우르는 '메모리 토털 솔루션' 전략을 강조했다.
이번 전시의 핵심은 차세대 HBM 기술과 엔비디아 차세대 AI 플랫폼 '베라루빈(Vera Rubin)'을 중심으로 한 협력 강화다. 삼성전자는 HBM4E 실물 칩과 함께 4나노 공정 기반 베이스 다이 웨이퍼도 공개하며 AI 반도체 공급망에서의 기술 경쟁력을 부각했다.
HBM4E는 핀당 16Gbps 속도와 최대 4TB/s 대역폭을 지원하는 차세대 메모리다. 삼성전자는 1c D램 공정과 자체 파운드리 4나노 설계 역량을 결합해 개발 속도를 높이고 있다.
특히 삼성전자는 메모리, 로직 설계, 파운드리, 첨단 패키징을 통합한 종합반도체기업(IDM) 구조를 앞세워 AI 반도체 시장에서 차별화된 경쟁력을 확보하겠다는 전략이다.
차세대 패키징 기술인 HCB(Hybrid Copper Bonding)도 함께 공개됐다. HCB는 기존 TCB 방식 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상의 고적층 HBM 구현이 가능한 기술로, 초고성능 AI 연산 환경에 최적화된 패키징 기술로 평가된다.
이번 행사에서 삼성전자는 엔비디아의 차세대 AI 플랫폼인 Vera Rubin 시스템에 공급되는 메모리 라인업도 함께 선보였다.
전시에는 Rubin GPU용 HBM4, Vera CPU용 SOCAMM2 메모리 모듈, PCIe Gen6 기반 서버용 SSD PM1763 등이 포함됐다. 삼성전자는 이들 제품을 통해 Vera Rubin 플랫폼의 메모리와 스토리지를 통합 공급할 수 있는 '토털 솔루션' 역량을 강조했다.
SOCAMM2는 LPDDR 기반 서버용 메모리 모듈로 업계 최초로 양산 출하를 시작했다. PM1763 SSD는 엔비디아 AI 서버의 핵심 스토리지로 사용되며, 현장에서는 해당 SSD가 탑재된 서버를 통해 AI 워크로드 시연도 진행됐다.
이와 함께 삼성전자는 AI 추론 성능과 전력 효율 향상을 위해 Vera Rubin 플랫폼의 CMX(Context Memory eXtension) 시스템에 PCIe Gen5 기반 SSD PM1753도 공급할 계획이다.
업계에서는 이번 전시를 통해 삼성전자와 엔비디아 간 협력이 단순 부품 공급을 넘어 AI 인프라 전반으로 확대되고 있다는 점에 주목하고 있다.
행사 둘째 날에는 송용호 삼성전자 AI센터장이 엔비디아 특별 초청으로 발표에 나서 차세대 AI 시스템을 위한 삼성 메모리 솔루션 전략을 소개할 예정이다.
AI 반도체 시장 경쟁이 격화되는 가운데, 삼성전자가 HBM과 파운드리, 패키징 기술을 결합한 통합 전략으로 엔비디아와의 협력을 더욱 강화하고 있다는 평가다.
양성모 기자
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