삼성전자, GTC서 HBM4E 실물 최초 공개…“엔비디아와 AI 동맹 고도화”

차세대 HBM4E 칩·코어 다이 웨이퍼 공개“베라 루빈 탑재 토털 솔루션 유일하게 공급”삼성 송용호 AI센터장, 엔비디아 특별 초청 발표[이승환 기자]삼성전자가 16일(현지시간)부터 나흘 동안 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아의 연례 기술 콘퍼런스인 GTC에 참석해 7세대 고대역폭메모리(HBM)인 ‘HBM4E’ 실물 칩과 ‘코어 다이 웨이퍼’를 최초 공개했다.삼성전자는 HBM4E(7세대) 기술력과 엔비디아의 차세대 인공지능(AI) 그래픽처리장치(GPU) 베라 루빈 플랫폼을 구현하는 메모리 토털 솔루션을 유일하게 공급할 수 있는 역량을 앞세워 글로벌 AI 리더십을 한층 강화한다는 계획이다.삼성전자는 이번 전시에서 삼성의 HBM 기술 리더십을 가장 먼저 조명할 수 있도록 ‘HBM4 히어로 월(Hero Wall)’ 전시 동선을 구성했다.이를 통해 6세대 고대역폭메모리(HBM4)부터 핵심 경쟁력으로 떠오른 메모리, 로직 설계, 파운드리(반도체 위탁 생산), 첨단 패키징을 아우르는 종합 반도체 기업(IDM)만의 강점을 부각했다.삼성전자는 이날 실물을 공개한 HBM4E에 대해 “메모리, 자체 파운드리와 로직 설계 역량, 그리고 첨단 패키징 기술 등 부문 내 모든 역량을 결집한 최적화 협업을 통해 핀당 16Gbps(초당 16기가비트) 속도와 4.0TB/s 대역폭을 지원할 예정”이라고 설명했다.삼성전자는 또한 영상을 통해 TCB 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 고적층을 지원하는 HCB 기술을 공개하며, 차세대 HBM을 위한 삼성전자의 패키징 기술 경쟁력을 소개했다.TCB는 열과 압력을 이용해 칩과 칩을 접합하는 반도체 패키징 기술로, HBM 적층 구조 구현에 사용되는 대표적인 본딩 방식이다. HCB은 구리 접합을 기반으로 칩을 직접 연결하는 차세대 패키징 기술로, 열 저항을 낮추고 고적층 HBM 구현에 유리한 본딩 방식을 의미한다.이와 함께 삼성전자는 ‘엔비디아 갤러리’를 별도 구성해 루빈 GPU용 HBM4, 베라 CPU용 SOCAMM2, 스토리지 PM1763을 베라 루빈 플랫폼과 함께 전시해 AI 플랫폼을 함께 완성해 나가는 양사의 전략적 파트너십도 강조했다.이 외에도 삼성전자는 전시 공간을 AI 팩토리즈(AI 데이터센터), 로컬 AI(온 디바이스 AI), 피지컬 AI 3개의 존으로 구성해 기술력을 공식적으로 인정받은 GDDR7, LPDDR6, PM9E1 등 차세대 삼성 메모리 아키텍처를 소개했다.행사 둘째 날인 17일에는 엔비디아의 특별 초청으로 송용호 삼성전자 AI센터장이 발표에 나서 AI 인프라 혁신을 이끌 엔비디아 차세대 시스템의 중요성과 이를 지원하는 삼성의 메모리 토털 솔루션 비전을 제시한다.