삼성전자 차세대 고대역폭 메모리(HBM) ‘HBM4E’ [사진=삼성전자]
삼성전자가 16일(현지시간) 미국 산호세에서 개막한 엔비디아 연례 개발자대회 ‘GTC 2026’서 차세대 고대역폭 메모리(HBM) ‘HBM4E’의 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 공개했다.
삼성전자는 19일까지 열리는 이번 행사에서 HBM4E 기술력과 베라 루빈(Vera Rubin) 플랫폼을 구현하는 메모리 토털 솔루션을 선보이며 AI리더십 강화에 나선다.
삼성전자는 HBM4 양산을 통해 축적한 1c D램 공정 기반의 기술 경쟁력과 삼성파운드리 4나노(nm) 베이스 다이 설계 역량이 적용된 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 공개했다.
GTC 현장에 마련한 전시관(HBM4 Hero Wall)에 베라 루빈 플랫폼에 탑재될 HBM4 칩과 4나노 베이스 다이 웨이퍼를 전면에 배치해 차세대 칩을 구현하는 HBM 라인업을 한눈에 확인할 수 있도록 했다.
올해 하반기 샘플 출하를 목표로 하는 HBM4E는 핀당 16Gbps 전송속도와 4.0TB/s 대역폭을 지원할 예정이다. 이는 지난달 양산 출하를 개시한 최신작(6세대 HBM4)의 13Gbps 전송속도와 3.3TB/s 대역폭을 뛰어넘는 수치다.
삼성전자는 종합반도체기업(IDM)만의 토털 솔루션을 통해 개발 효율을 강화하며 베라 루빈 플랫폼의 모든 메모리와 스토리지를 적기에 공급할 수 있는 메모리 토털 솔루션 역량을 부각했다.
엔비디아 존도 별도로 구성해 ▲루빈 GPU용 HBM4 ▲베라 CPU용 SOCAMM2 ▲스토리지 PM1763을 함께 전시하며 양사 간 협력을 강조했다.
SOCAMM2는 LPDDR 기반 서버용 메모리 모듈로 품질 검증을 완료하고 업계 최초로 양산 출하를 시작했다. PCIe Gen6 기반 서버용 SSD PM1763은 베라 루빈 플랫폼의 메인 스토리지다.
한편 행사 둘째 날인 17일에는 엔비디아의 특별 초청으로 송용호 삼성전자 AI센터장이 발표에 나서 AI인프라 혁신을 이끌 엔비디아 차세대 시스템의 중요성과 이를 지원하는 삼성의 메모리 토털 솔루션 비전을 공유할 방침이다.
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최태우 기자
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