HBM4부터 베이스다이에 TSMC 선단 공정 전격 도입
'커스텀 HBM' 시대 포석…HBF·3D 적층 기술로 초격차
안현 사장 "SK하이닉스, 공급자 넘어 크리에이터로 진화"
기조연설 중인 안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO, Chief Development Officer) [사진=SK하이닉스 제공]
SK하이닉스가 실리콘밸리에서 열린 ‘TSMC 테크놀로지 심포지엄 2026’에서 메모리와 로직 기술의 통합을 골자로 한 차세대 비전을 선포하며, TSMC와의 공고한 ‘원팀’ 파트너십을 통해 고객 맞춤형 커스텀 HBM 시장의 주도권을 겨냥하고 나섰다.
안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO)은 지난 22일(현지시간) 미국 새너제이 산타클라라 컨벤션 센터에서 기조연설을 통해 ‘차세대 AI 메모리-지능화, 융합, 그리고 협업’을 주제로 파괴적 혁신의 필요성을 역설했다.
안현 사장은 이날 기조연설에서 데이터 처리의 한계인 ‘메모리 병목(Memory Wall)’을 돌파하기 위해 단순한 공급자(Provider)를 넘어 아키텍처 설계부터 참여하는 ‘크리에이터(Creator)’로의 진화를 공식화했다.
SK하이닉스는 6세대 HBM인 ‘HBM4’부터 제품 하단 베이스다이(Base Die)에 TSMC의 선단 로직 공정을 전격 도입한다.
이를 통해 기존 구조의 한계를 뛰어넘는 ‘커스텀 HBM’을 구현하고, 나아가 낸드 설루션인 HBF(High Bandwidth Flash)와 온디바이스 AI용 ‘3D 적층 D램(3D Stacked DRAM on Logic)’까지 맞춤형 설루션 범위를 확대하겠다는 복안이다.
특히 안 사장은 이날 “메모리와 로직 기술의 통합은 AI 성능을 극대화할 새로운 돌파구”라면서, 모든 파트너가 실시간으로 기술을 공유하는 ‘원팀’ 체제를 통해 글로벌 AI 반도체 생태계의 표준 선점을 본격 견인하겠다는 포부를 밝혔다.
‘TSMC 테크놀로지 심포지엄 2026’의 전시 현장에서는 SK하이닉스의 압도적인 기술 리더십이 낱낱이 공개됐다.
SK하이닉스는 엔비디아(NVIDIA) GB300에 탑재된 ‘HBM3E 12단’의 실물 내부 구조를 공개하는 한편, 차세대 HBM4 16단(48GB) 제품과 3D 모형을 전면에 배치해 TSMC 공정 기술이 적용된 베이스다이의 실체를 가시화했다.
또 서버용 D램 시장 공략을 위한 최신 라인업도 대거 투입했다.
SK하이닉스는 ▲세계 최초 1c㎚ 공정을 적용한 64GB RDIMM ▲업계 최대 용량인 256GB 3DS RDIMM ▲고성능 연산용 128GB MRDIMM ▲AI 서버 특화 폼팩터인 192GB SOCAMM2 등을 나란히 전시해 독보적인 기술 초격차를 과시했다.
SK하이닉스는 이번 심포지엄을 지렛대 삼아 TSMC와의 긴밀한 기술 동맹을 재확인하는 동시에, 설계부터 제조까지 아우르는 ‘풀 스택 AI 메모리 크리에이터(Full Stack AI Memory Creator)’로서의 입지를 공고히 하며 글로벌 AI 시대를 선도할 방침이다.
SK하이닉스 TSMC 테크놀로지 심포지엄 2026 부스. [사진=SK하이닉스 제공]
SK하이닉스 TSMC 테크놀로지 심포지엄 2026 부스에서 HBM3E 섹션을 살펴보고 있는 관람객들. [사진=SK하이닉스 제공]
HBM4 48GB 16단 제품과 내부 구조를 확대한 3D 모형. [사진=SK하이닉스 제공]
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