카운터포인트리서치 "SK하이닉스, 2029년 HBM5 출시"전망
SK하이닉스가 더 높은 대역폭과 효율성을 요구하는 빅테크들의 요구에 따라 하이브리드 본딩 솔루션을 당초 예상시기보다 앞당겨 도입할 것으로 전망됐다.
고대역폭메모리(HBM)은 D램을 수직으로 쌓아 올린 고성능 메모리 반도체를 가리킨다. 세대를 거듭할수록 단수가 높아지는 게 특징이다. 현재 HBM은 D램과 D램 사이에 전기 신호를 보내는 돌기(범프)를 넣어 이어 붙이는 방식을 사용된다. 차세대 HBM 높이의 물리적 한계를 극복하기 위해 돌기를 없애고 직접 D램끼리 붙이는 방식을 쓰는데, 이를 하이브리드 본딩이라고 한다.
이럴 경우 반도체 전체 두께가 줄고, 데이터 전송 속도가 빨라진다. 때문에 전략적 시장의 리더십을 유지하기 위해서는 하이브리드 본딩을 조기 도입해야 한다는 평가가 우세하다.
▲SK하이닉스 HBM4의 16단 내부 구조를 보여주는 모형 전시물. /SK하이닉스
6일 시장조사업체 카운터포인트 리서치는 SK하이닉스가 하이브리드 본딩을 조기 도입, 2029년 8세대 HBM인 HBM5를 출시할 것으로 전망했다.
카운터포인트 리서치에 따르면 SK하이닉스는 어플라이드 머티리얼즈와 BE 세미컨덕터 인더스트리즈(BESI)의 통합 하이브리드 본딩 솔루션을 조기에 도입한다는 계획이다.
HBM 제품의 경우 JEDEC(국제표준기준)의 기준 완화로 최대 16단까지 열압착 본딩(TCB) 사용이 가능하다. 하지만 엔비디아 등 주요 빅테크 업체들이 더 높은 대역폭과 효율성을 요구하고 있어 장기적으로는 하이브리드 본딩 도입이 불가피한 상황이다.
이에 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 주요 메모리 기업들은 차세대 AI 수요 대응을 위해 HBM4 이후부터 하이브리드 본딩 도입을 추진하고 있다.
카운터포인트 리서치는 "HBM5가 하이브리드 본딩의 실질적인 전환점이 될 것으로 예상된다"며 "SK하이닉스가 차세대 AI GPU 사이클에 맞춰 2029∼2030년경 HBM5를 출시할 것으로 예상한다"고 말했다.
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