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사회

SK하이닉스, 1Q 영업이익률 72%… 엔비디아·TSMC도 제쳤다

곽노정 사장이 이끄는 SK하이닉스가 1분기 '영업이익률 72%'라는 대기록을 세우며 사상 최대 분기 실적을 달성했다. 전 세계적인 AI 열풍으로 수익성 높은 고부가가치 제품 판매가 크게 늘어난 영향이다. SK하이닉스는...

SK하이닉스, 1Q 영업이익률 72%… 엔비디아·TSMC도 제쳤다

1분기 매출 52.6조·영업익 37.6조…어닝서프라이즈 기록

차세대 HBM4E 내년 양산 목표로 개발 중…1c 공정 적용

곽노정 SK하이닉스 사장.<배경=뉴시스, 인물=SK하이닉스, 편집=남빛하늘>

곽노정 사장이 이끄는 SK하이닉스가 1분기 ‘영업이익률 72%’라는 대기록을 세우며 사상 최대 분기 실적을 달성했다. 전 세계적인 AI 열풍으로 수익성 높은 고부가가치 제품 판매가 크게 늘어난 영향이다.

SK하이닉스는 23일 오전 진행한 2026년 1분기 실적 발표 컨퍼런스콜에서 매출 52조5763억원, 영업이익 37조6103억원을 기록했다고 밝혔다. 전년 동기 대비 매출은 198%, 영업이익은 무려 405% 폭증한 수치다.

분기 기준 매출이 처음으로 50조원을 넘어섰으며 영업이익 역시 창사 이래 최대치를 경신했다. 통상 반도체 비수기로 꼽히는 1분기임에도 불구하고 시장 기대를 뛰어넘는 ‘어닝서프라이즈(깜짝 실적)’다.

영업이익률도 전년 동기 대비 30%p 상승한 72%를 기록했다. 1만원짜리 제품을 팔아 7000원 이상 이익을 남겼다는 얘기다. 특히 이는 메모리 경쟁사 마이크론(68%)은 물론 AI 반도체 ‘큰손’ 엔비디아(67%), 세계 최대 파운드리 대만 TSMC(58%) 등 주요 글로벌 기업들을 크게 웃도는 수준이다.

<자료=SK하이닉스, 표=남빛하늘>

호실적을 이끈 핵심은 D램·낸드 가격 상승과 고부가가치 제품의 판매 확대다. 1분기 평균판매단가(ASP)는 D램이 전분기 대비 60%대 중반, 낸드는 70%대 중반까지 치솟았다. 이 가운데 서버용 D램과 대용량 기업용 솔리드스테이트드라이브(eSSD) 등 고부가가치 제품이 가격 상승을 주도했다.

김우현 SK하이닉스 최고재무책임자(CFO) 부사장은 이날 컨퍼런스콜에서 “계절적 비수기임에도 AI 인프라 투자 확대에 따른 수요 강세가 이를 상쇄하며 타이트한 공급 환경이 지속됐다”며 “D램과 낸드 전반에 걸친 가격 상승과 고부가가치 제품 비중 확대가 맞물렸다”고 설명했다.

SK하이닉스는 당분간 이 같은 우호적인 가격 환경이 이어질 것으로 내다봤다. 최근 AI 기술이 대형 모델 ‘학습’ 중심에서 실시간 ‘추론’을 반복하는 에이전틱 AI 단계로 빠르게 진화하면서 D과 낸드를 비롯한 다양한 메모리 제품에 대한 수요가 확대되고 있기 때문이다.

김 부사장은 “고대역폭메모리(HBM) 중심 고성능 메모리 수요 뿐 아니라 서버용 D램 모듈, eSSD 등 시스템 전반에서 요구되는 메모리 총량이 확대되며 D램과 낸드 모두에서 수요 기반이 넓어지는 양상을 보이고 있다”고 진단했다.

이러한 흐름 속에서 SK하이닉스는 올해 2분기 D램 출하량이 전분기 대비 한 자릿수 후반 늘어날 것으로 전망했다. 낸드의 경우 전분기 대비 10%대 중반 수준의 출하량 증가가 예상된다.

“향후 3년 HBM 수요, 공급 압도”

SK하이닉스는 글로벌 선두를 유지하고 있는 HBM 분야에 대해서도 자신감을 내비쳤다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 SK하이닉스는 지난해 HBM 시장점유율 59%를 기록한 데 이어 올해도 50%로 1위를 유지할 전망이다.

김기태 HBM 세일즈&마케팅 담당은 이날 컨퍼런스콜에서 “당사는 타임 투 마켓(time to market·적기 공급), 원가, 수율, 성능 등 종합적인 제품 경쟁력과 고객으로부터의 사업 신뢰도 측면에서 최고 수준을 유지해 왔다”고 강조했다.

이어 “이를 반영하듯 향후 3년 동안 고객들이 요청하는 수요는 이미 당사 공급 캐파(capa·생산능력)를 훨씬 상회하는 수준”이라며 “현재 제한된 캐파 내에서 고객들에게 최대한의 HBM을 공급하기 위해 매진하고 있다”고 부연했다.

경기 이천시 SK하이닉스 본사.<뉴시스>

차세대 HBM 제품 로드맵도 공개됐다. SK하이닉스는 HBM4E(7세대) 출하 일정과 제품 사양을 두고 주요 고객사와 협의하며 개발을 진행 중이다. 내부적으로 올해 하반기 샘플 공급을 계획하고 있으며, 2027년 양산을 목표로 한다.

SK하이닉스 HBM4E는 10나노미터(㎚) 6세대(1c) 공정이 적용된다. 10㎚급 D램 공정 기술은 1x-1y-1z-1a-1b-1c 순으로 개발된다. 1c 공정은 현재 최선단 기술이다. 김 담당은 “당사 1c㎚는 업계 최고 수준 성능을 입증했다”며 “작년 말부터 양산을 시작해 수율·양산성도 이미 성숙 단계에 도달했다”고 전했다.

이어 “이를 통해 고객에게 안정적인 성능과 물량의 HBM4E를 공급할 수 있을 것으로 기대하고 있다”며 “추가적인 기술 내재화와 고객 검증을 거쳐 HBM4E를 적기에 개발하고 우수한 양산 능력과 제품 품질을 통해 HBM 기술 리더십을 이어가겠다”고 했다.

SK하이닉스는 올해 설비투자(CapEx) 규모도 전년 대비 크게 확대한다는 계획이다. 고객 수요가 회사의 공급 역량을 웃도는 상황이 이어지는 가운데, 공급 역량을 확보하는 것이 핵심 경쟁력으로 부각되고 있기 때문이다.

회사 관계자는 “반도체 생산 인프라는 착공부터 실제 가동까지 수년이 소요되고 핵심 장비 확보에도 상당한 리드타임이 필요한 만큼 중장기 수요 성장에 선제적으로 대응할 수 있는 생산 기반을 전략적으로 확보해 나가겠다”고 밝혔다.

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