10나노급 6세대 공정 기반 차세대 HBM 개발… “기술 내재화로 글로벌 수요 안정 대응”
SK하이닉스가 차세대 고대역폭메모리(HBM) 기술 경쟁에서 주도권 확보에 속도를 내고 있다.
회사는 23일 2026년 1분기 실적 발표 컨퍼런스콜에서 “올해 HBM4E 샘플을 고객사에 공급할 수 있도록 준비 중”이라며 “고객과의 긴밀한 협업을 통해 요구 성능을 충족하는 기술력을 확보하고, 2027년 HBM4E의 본격 양산 및 공급을 목표로 하고 있다”고 밝혔다.
HBM4E는 AI 반도체 성능을 좌우하는 핵심 메모리로, 기존 HBM3E 대비 대역폭과 전력 효율이 크게 개선되는 차세대 제품이다. 글로벌 빅테크 기업들의 AI 인프라 투자 확대와 맞물리며 차세대 HBM 주도권이 메모리 업체의 중장기 경쟁력을 가르는 핵심 변수로 부상하고 있다.
SK하이닉스는 기술 경쟁력의 핵심으로 10나노급 6세대(1c) 공정을 제시했다. 회사는 “높아진 고객 성능 요구에 대응하기 위해 1c 공정을 적용한 HBM4E를 개발하고 있다”며 “해당 공정은 수율과 양산 능력 측면에서 이미 성숙 단계에 진입한 만큼, 목표 시점에는 고객 요구에 부합하는 성능을 갖춘 제품을 안정적으로 공급할 수 있을 것”이라고 설명했다.
이번 발언은 HBM 시장 내 경쟁 구도를 감안할 때 더욱 주목된다. 현재 삼성전자와 마이크론 테크놀로지 역시 차세대 HBM 개발에 속도를 내고 있어, 향후 기술 완성도와 양산 시점이 시장 점유율을 좌우할 핵심 변수로 꼽힌다. SK하이닉스는 HBM3E에서 확보한 고객 기반을 바탕으로 차세대 제품에서도 우위를 이어가겠다는 전략이다.
회사는 중장기 전략으로 기술 내재화를 강조했다. SK하이닉스는 “글로벌 메모리 반도체 수요에 중장기적으로 안정적으로 대응하기 위해 핵심 기술 내재화에 집중할 것”이라며 “압도적인 제품 품질을 바탕으로 기술 리더십을 이어가겠다”고 밝혔다.
시장에서는 이번 컨퍼런스콜을 통해 SK하이닉스가 단기 실적 개선을 넘어 차세대 AI 메모리 시장까지 선제적으로 대응하고 있음을 재확인했다는 평가가 나온다. 특히 HBM4E 개발과 양산 로드맵을 구체화하면서, 기존 메모리 사이클 기업에서 AI 인프라 핵심 공급자로의 전환이 한층 뚜렷해지고 있다는 분석이다.
정연진
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