삼성전자 평택캠퍼스. (사진=삼성전자)
[서울파이낸스 서종열 기자] 삼성전자가 극자외선(EUV) 노광장비 20여 대를 포함한 대규모 장비 발주에 나서며 차세대 D램과 고대역폭메모리(HBM) 시장 선점에 속도를 내고 있다. 내년 평택 5공장(P5) 가동을 앞두고 초미세공정 경쟁력 강화에 선제 투자에 나선 것으로 풀이된다.
8일 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 최근 네덜란드 ASML과 일본 캐논에 약 70여 대 규모의 노광장비 구매주문서(PO)를 발주했다. 이 가운데 EUV 장비는 약 20대로, 발주 금액만 10조원 이상에 달하는 것으로 알려졌다.
◇ P5 가동 맞춰 'EUV 집중 투입' =
이번에 발주된 장비는 평택캠퍼스 P5 1구역에 투입될 예정이다. P5 클린룸은 내년 1분기 완공이 예상되며, 장비 반입은 2분기부터 순차적으로 이뤄질 전망이다.
EUV 장비는 10나노급 6세대 D램(1c) 공정에 적용된다. 해당 공정은 차세대 HBM4 생산의 기반이 되는 핵심 기술로, 생산성이 높아질 경우 HBM4 공급량도 함께 확대된다.
삼성전자는 앞서 HBM4 양산에 성공하고 이를 인공지능(AI) 반도체 기업 엔비디아에 공급하고 있다. HBM4는 엔비디아의 차세대 GPU '루빈'에 탑재될 예정으로, 향후 AI 서버 시장 확대와 맞물려 수요 증가가 예상된다.
현재 삼성전자는 화성 H3 라인과 평택 P3·P4 공장에서 HBM4 생산을 확대 중이다. 여기에 P5까지 가세하면 D램과 HBM 생산능력이 동시에 증가하는 구조가 완성된다.
삼성전자 파운드리사업부 (사진=삼성전자)
◇ SK하이닉스와 '장비 경쟁' 본격화 =
삼성전자의 이번 투자는 경쟁사와의 기술 격차를 유지하기 위한 포석으로도 해석된다.
SK하이닉스는 최근 ASML과 약 12조원 규모 EUV 장비 공급 계약을 체결하며 20대 안팎의 장비를 추가 확보했다. 이에 따라 총 EUV 보유 규모는 40대 수준으로 확대될 전망이다.
반면 삼성전자는 기존에도 약 40대 이상의 EUV 장비를 가동 중인 것으로 알려져 있다. 이번에 추가로 20대를 도입할 경우 장비 격차를 유지하거나 확대할 가능성이 높다.
노광장비는 반도체 미세공정의 핵심 설비로 꼽힌다. EUV 확보 규모는 곧 생산능력과 직결돼서다. 업계에서는 이번 투자를 두고 '초미세공정 경쟁의 승부수'로 평가하고 있다.
특히 향후 HBM5E에 적용될 10나노급 7세대 D램(1d) 개발 경쟁에서도 삼성전자가 유리한 위치를 점할 수 있다는 분석이 나온다.
◇ "낸드 대신 D램"···투자 축 이동 신호 =
이번 투자의 또 다른 특징은 D램 중심의 설비 투자다. 과거 신규 팹은 낸드플래시 라인 구축이 우선되는 경우가 많았지만, 이번에는 HBM 수요 증가에 따라 D램 생산라인부터 확충하는 전략이 선택됐다.
업계 한 전문가는 "HBM4 출하량 증가 전망에 따라 D램 라인 증설이 먼저 결정됐다"며 "내년 2분기부터 EUV 장비가 순차적으로 반입될 것"이라고 내다봤다.
삼성전자가 P5에 EUV 장비 약 20대를 배치하고 향후 4개 구역을 D램 라인으로 운영할 경우, 생산 규모는 경쟁사 대비 2배 이상 확대될 가능성도 제기된다.
삼성전자 HBM. (사진=서울파이낸스 DB)
시장에서는 삼성전자의 이번 투자를 AI 반도체 수요 확대에 대응한 선제적 대응으로 보고 있다. 특히 HBM을 중심으로 한 고부가 메모리 시장이 빠르게 성장하면서, 생산능력 확보가 곧 경쟁력으로 직결되는 구조가 형성되고 있기 때문이다.
업계에서는 내년 상반기 P5 가동이 본격화되면 삼성전자의 D램과 HBM 생산능력이 동시에 증가하며 시장 지배력이 한층 강화될 것으로 보고 있다. 결국 이번 EUV 발주는 단순한 설비 투자를 넘어 HBM 중심 메모리 경쟁에서 주도권을 유지하기 위한 전략적 투자라는 평가다.
댓글
0