루빈 시스템 LPU 삼성 파운드리서 생산 확인…HBM4E 공개…메모리·파운드리 협력 확대
젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 16일(현지 시간) 미 캘리포니아주 새너제이 SAP 센터에서 열린 엔비디아의 인공지능(AI) 콘퍼런스 'GTC 2026'에서 엔비디아의 차세대 슈퍼칩 ‘베라 루빈’에 대해 설명하고 있다./연합뉴스
[금융소비자뉴스 정윤승 기자] 엔비디아 CEO 젠슨 황이 개발자 행사 'GTC 2026'에서 삼성전자를 직접 언급하며 감사를 표해 양사 간 협력 관계가 한층 부각됐다.
특히 차세대 AI 칩 생산에 삼성 파운드리가 참여하고 있다는 점이 공개되면서 반도체 동맹 강화에 대한 기대감이 커지고 있다.
황 CEO는 16일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이 SAP센터에서 열린 엔비디아의 인공지능(AI) 콘퍼런스 ‘GTC 2026’ 기조연설에서 추론 전용 칩을 소개하며 “삼성이 우리를 위해 ‘그록(Groq)3’ 언어처리장치(LPU) 칩을 제조하고 있다”며 “현재 생산 확대를 빠르게 진행하고 있다”며 “삼성에 감사드린다”고 언급했다.
그록3 LPU는 엔비디아의 ‘루빈’ 그래픽처리장치(GPU)와 역할을 나눠 AI 추론 성능과 효율을 높이는 칩이다.
황 CEO는 이 칩이 엔비디아 차세대 AI 칩 ‘베라 루빈’ 시스템에 탑재될 예정이라며 “올해 하반기, 아마 3분기쯤 출하가 시작될 것”이라고 말했다.
황 CEO의 발언으로 해당 칩이 삼성전자 파운드리(반도체 위탁생산) 사업부에서 생산되고 있다는 사실이 확인됐다.
삼성전자도 이날 GTC 행사장 전시를 통해 엔비디아 차세대 GPU에 탑재될 고대역폭메모리(HBM) ‘HBM4E’ 실물 칩과 적층용 ‘코어 다이’ 웨이퍼를 처음으로 공개했다. 파운드리와 메모리 부문에서 엔비디아와 협력을 강조한 것이다.
HBM4E는 핀당 16Gbps(초당 기가비트) 전송 속도와 4.0TB/s(초당 테라바이트) 대역폭을 지원할 예정이다. 이는 지난달 양산을 시작한 6세대 HBM4의 13Gbps 전송 속도와 3.3TB/s 대역폭보다 높은 수준이다.
삼성전자는 HBM4 양산으로 축적한 1c(10나노급 6세대) D램 공정 기술과 4㎚(나노미터) 베이스 다이 설계 역량을 바탕으로 HBM4E 샘플을 올 하반기 출하할 계획이다.
삼성전자가 HBM4 양산 직후 HBM4E를 공개한 것은 SK하이닉스와 마이크론 등 경쟁사와의 기술 격차를 부각하려는 전략으로 풀이된다.
삼성전자는 전시장에서 ‘HBM4 히어로 월(Hero Wall)’을 통해 종합반도체기업(IDM)으로서의 경쟁력을 강조했다. 또 열과 압력으로 칩을 연결하는 열압착접합(TCB)보다 열 저항을 20% 개선하고 16단 이상 고적층을 지원하는 하이브리드구리접합(HCB) 패키징 기술도 공개했다.
한편, 송용호 삼성전자 AI센터장은 이날 GTC 엔비디아 특별 세션에서 삼성전자 메모리의 ‘토털 설루션’ 전략을 발표한다. 엔비디아 AI 인프라를 지원하는 방향성과 협력 비전이 함께 제시될 것으로 보인다.
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정윤승 기자
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