AI 메모리·파운드리 협력 확대 상징
엔비디아 젠슨 황 CEO가 GTC 2026 현장에서 삼성전자 부스를 방문해 기념촬영을 하고 있는 모습. (왼쪽부터) 황상준 메모리개발담당 부사장, 엔비디아 젠슨 황 CEO, 한진만 파운드리 사업부장 사장. ⓒ삼성전자
현대경제신문 유은주 기자 | 젠슨 황 엔비디아 CEO가 미국 새너제이에서 열린 ‘GTC 2026’에서 삼성전자 전시 부스를 찾아 차세대 AI 메모리 기술을 직접 확인했다.
삼성전자는 이번 부스 방문에 황상준 메모리개발담당 부사장과 한진만 파운드리사업부장 사장이 함께했다고 17일 밝혔다.
현장에는 삼성전자 HBM4 코어 다이 웨이퍼와 AI 반도체 스타트업 그록(Groq)의 LPU용 파운드리 4나노 웨이퍼가 전시됐다. 황 CEO는 각각의 웨이퍼에 ‘AMAZING HBM4’와 ‘Groq Super FAST’라는 문구를 친필로 남기며 기술력을 높이 평가했다.
삼성전자는 이번 GTC에서 차세대 메모리인 HBM4E를 처음 공개했다. 1c D램과 파운드리 4나노 공정을 기반으로 한 HBM4E 칩과 코어 다이 웨이퍼를 선보이며 AI 반도체 시장에서의 경쟁력을 강조했다. HBM4E는 핀당 최대 16Gbps 속도와 최대 4TB/s 수준의 메모리 대역폭을 지원하는 것이 특징이다.
이번 전시에서는 메모리뿐 아니라 파운드리와 패키징을 결합한 ‘토털 솔루션’ 전략도 강조됐다. 삼성전자는 메모리·로직 설계·파운드리·첨단 패키징을 모두 자체 기술로 제공할 수 있는 종합반도체기업(IDM) 구조를 기반으로 AI 인프라 시장에서 차별화된 경쟁력을 확보하고 있다는 점을 부각했다.
특히 엔비디아 차세대 AI 플랫폼 ‘베라 루빈(Vera Rubin)’과 연계한 통합 솔루션도 공개됐다. 삼성전자는 HBM4와 SOCAMM2, PM1763 등 메모리 제품을 결합한 ‘메모리 토털 솔루션’을 전시하며 해당 플랫폼에 필요한 핵심 메모리 기술을 공급할 수 있는 역량을 강조했다.
유은주 기자
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