삼성전자 HBM4 제품 사진/삼성전자 제공
삼성전자가 엔비디아 행사에서 7세대 고대역폭메모리(HBM)를 처음 공개한다.
삼성전자는 16일부터 19일까지(현지시간) 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 GTC에 참가해 차세대 HBM4E 기술력과 Vera Rubin 플랫폼을 구현하는 메모리 토털 설루션을 유일하게 공급할 수 있는 역량을 앞세워 글로벌 AI(인공지능)리더십을 한층 강화한다.
삼성전자는 이번 전시에서 ‘HBM4 Hero Wall’을 통해 HBM4부터 핵심 경쟁력으로 떠오른 △메모리 △로직 설계 △Foundry △첨단 패키징을 아우르는 종합반도체 기업(IDM)만의 강점을 부각했으며, ‘Nvidia Gallery’를 통해서는 AI 플랫폼을 함께 완성해 나가는 양사의 전략적 파트너십을 강조했다.
이 외에도 삼성전자는 전시 공간을 △AI 팩토리즈 △로컬 AI △피지컬 AI 세 개로 나눠 GDDR7(그래픽용 D램), LPDDR6(저전력 D램), PM9E1(솔리드스테이트드라이브) 등 차세대 메모리 아키텍처를 소개한다.
삼성전자는 이번 전시회에서 HBM4 양산을 통해 축적한 1c D램 공정 기반의 기술 경쟁력과 삼성 Foundry 4나노 베이스 다이 설계 역량을 바탕으로 차세대 HBM4E 개발을 가속화하고 있으며 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 공개했다.
삼성전자 HBM4E는 메모리, 자체 Foundry와 로직 설계 역량, 그리고 첨단 패키징 기술 등 부문 내 모든 역량을 결집한 최적화 협업을 통해 핀당 16Gbps(초당 기가비트) 속도와 4.0TB/s(초당 테라바이트) 대역폭을 지원할 예정이다.
또한 영상을 통해 열과 압력으로 쌓은 칩을 연결하는 열압착접합(TCB) 대비 열 저항을 20% 개선하고 16단 이상 고적층도 지원하는 하이브리드구리접합(HCB) 패키징 기술도 공개했다.
삼성전자는 Vera Rubin 플랫폼에 탑재될 HBM4 칩과 Foundry 4나노 베이스 다이 웨이퍼를 전면에 배치해, 차세대 칩을 구현하는 삼성의 HBM 라인업을 한눈에 확인할 수 있도록 전시회를 구성했다.
삼성전자는 종합반도체 기업(IDM)만의 토털 솔루션을 통해 개발 효율을 강화해 고성능 HBM 시대에서도 성능과 품질을 압도하는 기술 선순환 구조를 구축할 계획이다.
삼성전자는 ‘Nvidia Gallery’를 별도로 구성해 △Rubin GPU용 HBM4 △Vera CPU용 SOCAMM2 △스토리지 PM1763을 Vera Rubin 플랫폼과 함께 전시해, 양사의 협력을 강조했다.
한편 행사 둘째 날인 17일에는 엔비디아의 특별 초청으로 송용호 삼성전자 AI센터장이 발표에 나서 AI 인프라 혁신을 이끌 엔비디아 차세대 시스템의 중요성과 이를 지원하는 삼성의 메모리 토털 솔루션 비전을 제시한다.
양사는 이러한 협력을 바탕으로 글로벌 AI 인프라 패러다임 전환을 함께 이끌어 갈 것으로 전망된다.
심준식 기자
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