HBM4 비중 50% 이상 확대…프리미엄 중심 공급 전략
HBM5부터 2나노 공정 적용…차세대 기술 로드맵 공개
엔비디아 협력 강화…AI 칩 수요 대응 본격화
삼성전자 HBM4. [사진=삼성전자]
[중앙이코노미뉴스 윤남웅] 삼성전자가 인공지능(AI) 데이터센터 수요 확대에 대응해 고대역폭메모리(HBM) 생산을 대폭 확대한다. 차세대 제품 비중을 높이며 프리미엄 중심 전략으로 시장 주도권 확보에 나선다는 구상이다.
17일 업계에 따르면 삼성전자는 올해 HBM 생산량을 전년 대비 3배 이상 확대할 계획이다. AI 인프라 투자 확대에 따라 HBM 수요가 급증하는 가운데 공격적인 증산으로 시장 대응력을 끌어올리겠다는 전략이다.
황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 16일(현지시간) 미국 캘리포니아 새너제이에서 열린 엔비디아 ‘GTC 2026’ 현장에서 “HBM은 가파르게 램프업 중이며 생산에는 큰 문제가 없다”고 밝혔다.
특히 차세대 제품 중심의 포트폴리오 전환도 예고했다. 황 부사장은 “전체 HBM 가운데 HBM4 비중을 절반 이상으로 확대하는 것이 목표”라며 “공급이 제한적인 상황에서는 프리미엄 제품 중심으로 공급하는 것이 산업 전반에도 긍정적”이라고 말했다.
HBM 시장 전반의 공급 부족 상황도 언급됐다. 삼성전자는 전략적 고객사와 양산 공급 고객을 구분해 물량을 배분하는 방식으로 대응할 계획이다. AI 반도체 시장의 급성장으로 주요 고객사 확보 경쟁이 심화되는 흐름을 반영한 조치다.
차세대 공정 로드맵도 공개됐다. 현재 양산 중인 6세대 HBM4와 후속 HBM4E는 4나노 공정을 적용하지만, 차차세대 제품인 HBM5·HBM5E는 2나노 공정을 활용해 개발할 예정이다. 적층 구조의 핵심인 코어 다이는 10나노급 공정을 유지하면서 성능과 원가 사이 균형을 맞춘다는 전략이다.
삼성전자는 엔비디아의 AI 칩 출시 주기에 맞춰 HBM도 1년 단위로 신제품을 선보이는 체계를 구축한다는 계획이다. 빠르게 진화하는 AI 반도체 시장에 대응하기 위한 속도전 전략으로 해석된다.
파운드리 사업에서도 주요 고객과 협력을 이어가고 있다. 엔비디아가 언급한 추론용 칩 ‘그록(Groq)3’는 삼성전자 평택 캠퍼스에서 생산되며, 올해 3분기 말에서 4분기 초 양산을 목표로 하고 있다. 이미 예상치를 웃도는 주문이 확보된 것으로 전해졌다.
그록3는 칩 면적이 700㎟를 넘는 초대형 구조로, 웨이퍼 한 장당 약 64개만 생산되는 고난도 제품이다. 칩 내부의 70~80%를 SRAM으로 채워 외부 HBM 의존도를 낮춘 점도 특징이다.
업계에서는 삼성전자가 HBM 증산과 선단 공정 전환을 동시에 추진하며 AI 반도체 시장에서 반격에 나섰다는 평가가 나온다. 프리미엄 제품 중심 전략과 고객사 확보 여부가 향후 경쟁력의 핵심 변수가 될 전망이다.
윤남웅 기자
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