미국 GTC 2026서 'HBM4E' 첫 공개
삼성전자가 올해 고대역폭메모리(HBM) 생산량을 지난해의 3배 이상으로 늘리고, 그 중 절반 이상을 최신 제품인 'HBM4'에 집중하기로 했다. 사진=삼성전자.
삼성전자가 올해 고대역폭메모리(HBM) 생산량을 지난해의 3배 이상으로 늘리고, 그 중 절반 이상을 최신 제품인 'HBM4'에 집중하기로 했다.
황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 16일(현지 시간) 미국 캘리포니아주 새너제이 컨벤션센터에서 열린 미국 인공지능(AI) 기업 엔비디아의 연례 개발자회의 'GTC 2026' 삼성전자 전시장에서 기자들과 만나 "전체 HBM에서 HBM4를 절반 이상 가져가는 것이 목표"라며 이같이 밝혔다.
삼성전자는 이날 최초 공개한 HBM4E에 이은 HBM5에는 기존 4나노보다 고도화한 2나노 베이스다이 공정을 적용한다고 밝혔다. 황상준 부사장은 "원가 부담은 있지만 HBM이 지향하는 제품과 개념을 맞추려면 선단 공정 활용이 불가피하다"고 말했다.
삼성전자는 업계 최고 성능의 6세대 고대역폭메모리(HBM4)를 엔비디아에 가장 먼저 공급한 데 이어 7세대 HBM4E 실물과 코어다이 웨이퍼를 GTC 2026 현장에서 처음 공개했다.
삼성전자에 따르면 엔비디아가 이날 공개한 신형 추론 칩 '그록3' 생산은 삼성전자 평택캠퍼스에서 할 계획이다. 일반적으로 웨이퍼 한 장당 400~600개 칩을 생산하는 것과 달리 '그록3 칩'은 칩 하나 면적이 700㎟가 넘는 대형 다이로 웨이퍼 한 장에서 64개만 생산할 수 있다.
황 부사장은 그록이 엔비디아와 라이선스 계약을 맺기 이전에도 삼성 파운드리의 고객이었다는 사실을 밝혔다. 그록이 엔비디아와 계약을 맺으면서 삼성 파운드리와의 관계가 끊어질까봐 우려했는데 엔비디아도 제품에 만족해 생산체제를 유지하기로 했다고 전했다.
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이코노텔링 장재열 기자
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