삼성전자 HBM4 제품 사진(사진제공/삼성전자)
[잡포스트] 김경은 기자 = 삼성전자가 16일부터 19일까지(현지시간) 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 GTC에 참가해 차세대 HBM4E 기술력과 베라 루빈 플랫폼을 구현하는 메모리 토털 솔루션을 공급할 수 있는 역량을 앞세워 글로벌 AI리더십을 한층 강화한다.
삼성전자는 16일(현지시간) 미국 새너제이에서 열린 엔비디아 GTC 2026에서 10나노급 6새데(1c) D램 공정과 4㎚(나노미터·1㎚=10억분의 1m) 파운드리 공정을 결합한 HBM4E와 코어 다이 웨이퍼를 업계 처음으로 공개했다.
삼성전자는 이번 전시에서 'HBM4 Hero Wall'을 통해 HBM4부터 핵심 경쟁력으로 떠오른 메모리 로직 설계 파운드리 첨단 패키징을 아우르는 종합반도체 기업(IDM)만의 강점을 부각했다.
'엔비디아 갤러리'를 통해서는 AI 플랫폼을 함께 완성해 나가는 두 회사의 전략적 파트너십을 강조했다.
이 외에도 전시 공간을 AI 팩토리, 로컬 AI, 피지컬 AI 세 개의 존으로 구성해, 기술력을 공식적으로 인정받은 GDDR7, LPDDR6, PM9E1 등 차세대 삼성 메모리 아키텍처를 소개했다.
행사 둘째 날인 17일(현지시간)에는 엔비디아의 특별 초청으로 송용호 삼성전자 AI센터장이 발표에 나서 AI 인프라 혁신을 이끌 엔비디아 차세대 시스템의 중요성과 이를 지원하는 삼성의 메모리 토털 솔루션 비전을 제시한다.
이를 통해 양사의 협력이 단순한 기술 협력을 넘어 AI 인프라 전반으로 확대되고 있음을 보여줄 예정이다.
삼성전자는 HBM4 양산을 통해 축적한 1c D램 공정 기반의 기술 경쟁력과 삼성 파운드리 4나노 베이스 다이 설계 역량을 바탕으로 차세대 HBM4E 개발을 가속화하고 있다.
HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 처음으로 공개했다.
삼성전자 HBM4E는 메모리, 자체 파운드리와 로직 설계 역량, 첨단 패키징 기술 등 부문 내 모든 역량을 결집한 최적화 협업을 통해 핀당 16Gbps 속도와 4.0TB/s 대역폭을 지원할 예정이다.
또 영상을 통해 TCB(Thermal Compression Bonding) 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 고적층을 지원하는 HCB(Hybrid Copper Bonding) 기술을 공개하며, 차세대 HBM을 위한 삼성전자의 패키징 기술 경쟁력을 강조했다.
특히 삼성전자는 이번 전시를 통해 엔비디아 베라 루빈 플랫폼의 모든 메모리와 스토리지를 적기에 공급할 수 있는 메모리 토털 솔루션 역량을 부각했다.
삼성전자 관계자는 "AI 팩토리 혁신을 위해서는 베라 루빈 플랫폼과 같은 강력한 AI시스템이 필수적"이라며 "삼성전자는 이를 지원하는 고성능 메모리 솔루션을 지속적으로 공급해 나갈 예정"이라고 말했다.
김경은 기자
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