4나노 베이스 다이 적용 ‘HBM4E’로 AI 리더십 강화
삼성전자 HBM4 제품. (사진=삼성전자)
[딜라이트닷넷=장영일 기자] 삼성전자가 16일부터 19일까지(현지시간) 미국 새너제이에서 열리는 ‘엔비디아 GTC 2026’에 참가해 차세대 AI 메모리 시장을 선점하기 위한 압도적인 기술력을 선보인다.
삼성전자는 엔비디아의 차세대 플랫폼인 ‘베라 루빈(Vera Rubin)’에 필요한 모든 메모리와 스토리지 솔루션을 공급할 수 있는 전 세계 유일한 파트너임을 강조하며 AI 리더십 굳히기에 나섰다.
삼성전자는 이번 전시에서 1c D램 공정과 파운드리 4나노 베이스 다이 기술을 결합한 차세대 ‘HBM4E’ 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 세계 최초로 공개했다.
삼성의 HBM4E는 핀당 16Gbps의 속도와 4.0TB/s의 대역폭을 지원할 예정이다.
특히 기존 TCB 방식보다 열 저항을 20% 이상 개선한 ‘하이브리드 구리 본딩(HCB)’ 기술을 선보이며, 16단 이상 고적층 HBM 시장에서의 패키징 경쟁력을 증명했다. 이는 설계부터 생산, 첨단 패키징까지 모두 수행 가능한 종합반도체기업(IDM)으로서의 시너지를 극대화한 결과다.
삼성전자는 엔비디아와의 전략적 파트너십을 시각화한 ‘엔비디아 갤러리’를 통해 루빈 GPU용 HBM4, 베라 CPU용 SOCAMM2, 스토리지 PM1763 등을 나란히 전시했다.
이 제품들은 엔비디아의 차세대 AI 플랫폼을 완성하는 핵심 요소들이다.
서버용 메모리 모듈인 SOCAMM2는 이미 양산 출하를 시작했으며, PCIe Gen6 기반의 SSD PM1763은 현장에서 엔비디아 워크로드를 직접 시연하며 업계 최고 수준의 성능을 입증했다.
또 AI 추론 성능을 높이는 CMX 플랫폼에도 서버용 SSD PM1753을 공급할 계획임을 밝혔다.
행사 둘째 날인 17일(현지시간)에는 송용호 삼성전자 AI센터장이 특별 초청 발표자로 나서 AI 인프라 혁신을 위한 삼성의 비전을 제시한다.
삼성전자는 AI 데이터센터부터 온디바이스 AI까지 아우르는 차세대 아키텍처(GDDR7, LPDDR6 등)를 통해 글로벌 AI 인프라의 패러다임 전환을 이끌겠다는 전략이다.
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장영일 기자
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