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사회

'반도체 기술' 중국 넘긴 삼성전자 前 연구원 징역 7년

반도체 핵심 기술을 중국 경쟁사에 유출한 혐의로 기소된 전직 삼성전자 연구원이 1심에서 징역 7년을 선고받았다. 서울중앙지법 형사합의28부(부장 한대균)는 22일 산업기술보호법 위반(국가핵심기술 국외 유출 등) 등...

'반도체 기술' 중국 넘긴 삼성전자 前 연구원 징역 7년

"대한민국에 손실…엄히 처벌해야"

서울 서초구 삼성전자 서초사옥. 뉴시스

반도체 핵심 기술을 중국 경쟁사에 유출한 혐의로 기소된 전직 삼성전자 연구원이 1심에서 징역 7년을 선고받았다.

서울중앙지법 형사합의28부(부장 한대균)는 22일 산업기술보호법 위반(국가핵심기술 국외 유출 등) 등 혐의로 재판에 넘겨진 삼성전자 연구원 출신 전모(56)씨에 대해 징역 7년을 선고했다.

전씨는 2016년 삼성전자를 떠나 중국 반도체 업체 창신메모리(CXMT)로 이직 후 삼성전자가 1조6,000억 원을 들여 개발한 18나노 D램 공정 정보를 유출한 혐의로 기소됐다. CXMT는 중국 지방정부가 2조6,000억 원을 투자해 세운 D램 반도체 회사다. 전씨는 그 대가로 스톡옵션을 포함해 6년간 약 29억 원을 받은 것으로 조사됐다.

재판부는 "거액을 들이고 수많은 연구 인력을 통해 개발한 핵심 정보를 취득해 외국에서 사용하게 했다"며 "대기업은 물론 대한민국까지 손실을 입혔기 때문에 엄한 처벌을 할 수밖에 없다"고 질타했다. 다만 "범행 당시에 영업비밀 준수에 대한 대기업 측의 충분한 보상이 있었는지는 의문"이라며 이를 유리한 양형 사유로 반영했다.

이번 범행은 공범인 삼성전자 부장 출신 김모씨 사건을 추가 수사하는 과정에서 적발됐다. 김씨는 앞서 기소돼 지난해 2심에서 징역 6년과 벌금 2억 원을 선고받았다. 그러나 대법원은 지난 2월 영업비밀 '취득·사용·제3자 누설' 행위를 각각 독립적으로 판단하지 않았다고 보고 사건을 파기환송했다. 현재 서울고법에서 심리 중이며, 선고는 23일로 예정됐다.

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