[스포츠서울 | 위수정 기자] SK하이닉스가 샌디스크와 손잡고 차세대 스토리지 기술인 HBF(High Bandwidth Flash)의 첫 표준 규격을 공개하며 AI 메모리 생태계 확장에 나섰다.
SK하이닉스는 현지시간 4일부터 6일까지 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션 센터에서 열리는 ‘FMS(Future of Memory and Storage) 2026’ 개막에 맞춰 HBF의 첫 표준 규격을 발표했다고 4일 밝혔다. 이번 발표는 지난해 8월 양사가 HBF 표준화 협력을 시작한 뒤 올해 2월 컨소시엄을 출범한 지 약 6개월 만의 성과다.
HBF는 HBM(고대역폭메모리)과 SSD 사이에 위치하는 새로운 메모리 계층이다. HBM 수준의 빠른 데이터 전송 속도를 유지하면서도 낸드 플래시 기반의 대용량을 확보할 수 있어, AI 추론 확산으로 데이터 처리량이 급증한 시장에서 핵심 대안으로 주목받는다.
이번에 확정된 규격은 낸드 다이를 8단과 16단으로 적층해 최대 512GB 용량을 구현하도록 정의했다. 대역폭은 0.4TB/s에서 3.0TB/s까지 3개 등급으로 나뉜다. 특히 업계 표준 인터페이스인 UCIe(Universal Chiplet Interconnect Express)를 채택해 GPU, CPU 등 다양한 프로세서와의 연동 유연성을 높였다. 해당 규격은 OCP(Open Compute Project)를 통해 개방형 표준으로 공개되며, 현재 컨소시엄에는 구글과 텐스토렌트 등이 참여 중이다.
SK하이닉스는 행선 기간 키노트 연설과 패널 토의를 통해 기술 리더십을 강조한다. 개막 첫날 김천성 Solution개발 부문장과 강욱성 차세대 상품기획 담당이 ‘에이전틱 AI 시대, 계층형 메모리에 기반한 AI 인프라의 효율적 구현 방안’을 주제로 공동 키노트를 진행한다. 6일에는 SK하이닉스 임의철 담당, 구글 딥마인드 샤오위 마 연구원, 샌디스크 라지브 나가비라바 부사장이 참석하는 ‘HBF로 메모리 월을 넘다’ 패널 토의가 예정돼 있다.
아울러 SK하이닉스는 전시 부스에서 개발 중인 10세대(V10) 375단 4D 낸드 웨이퍼와 제품을 최초 공개한다. 전 세대 대비 전력 대 성능비가 2.5배 향상된 제품으로, 회사는 내년 초 이를 적용한 고성능·고용량 eSSD 양산에 착수할 계획이다.
SK하이닉스 김천성 부문장은 “AI 활용 확산에 따라 데이터 처리 구조 전반의 재설계가 요구되는 시점”이라며 “HBF를 통해 메모리와 스토리지 간 경계를 확장하고 시스템 전반의 효율을 높이는 차세대 아키텍처 구현에 기여하겠다”고 말했다. wsj0114@sportsseoul.com
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