한국전기연구원(KERI)이 차세대 전력반도체의 생산성을 떨어뜨리는 핵심 불량 원인을 밝혀내면서 고성능 반도체 양산에 한 걸음 더 다가섰다.
KERI는 차세대반도체연구센터 나문경 박사 연구팀이 충남대 홍순구 교수팀, 호리바에스텍코리아와 공동 연구를 통해 탄화규소(SiC) 전력반도체 제조 과정에서 발생하는 치명적인 불량인 이른바 '킬러 결함(Killer D
한국전기연구원(KERI)이 차세대 전력반도체의 생산성을 떨어뜨리는 핵심 불량 원인을 밝혀내면서 고성능 반도체 양산에 한 걸음 더 다가섰다.
한국전기연구원(KERI)이 차세대 전력반도체의 생산성을 떨어뜨리는 핵심 불량 원인을 밝혀내면서 고성능 반도체 양산에 한 걸음 더 다가섰다.
KERI는 차세대반도체연구센터 나문경 박사 연구팀이 충남대 홍순구 교수팀, 호리바에스텍코리아와 공동 연구를 통해 탄화규소(SiC) 전력반도체 제조 과정에서 발생하는 치명적인 불량인 이른바 '킬러 결함(Killer D
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